사업개요
용인시산업진흥원에서는 용인시 반도체 산업 실무역량 강화와 현장 전문인력 양성을 위한 반도체 이론 및 공정·장비 실습 교육을 운영하오니 관내 반도체 기업 재직자 및 예비 취·창업자분들의 많은 관심과 참여 바랍니다.
지원분야
반도체 산업 전문인력 양성
지원대상
- 교육대상: 4기 12명 내외 모집
- 용인시 소재 반도체 기업 재직자
- 용인시 반도체 기업 예비 취·창업자
- 관내 대학 반도체 분야 전공자(졸업 또는 재학)
- 타 지역 대학 반도체 분야 전공자(졸업 또는 재학) 중 용인시 거주자
- 타 지역 거주 중인 반도체 분야 전공자(졸업 또는 재학) 중 용인 반도체 기
업으로 취업을 준비 중인 자
※ 용인시 반도체 기업 면접확인서, 용인시 일자리센터 구직 확인 서류 등 제출 必
- 반도체 분야 예비 창업자(창업기업 소재지 용인)
- 용인시 거주중인 일반시민
지원내용
- 교육내용: 4기 반도체소자 제작 및 패키징 실습 과정
| 일차 | 교육 시간 | 실습 내용 |
|---|---|---|
| 1 | 1교시(9:00~10:00) 2교시(10:00~11:00) 3교시(11:00 ~ 12:00) 12:00 ~ 13:00 4교시(13:00 ~ 14:00) 5교시(14:00 ~ 15:00) 6교시 (15:00 ~ 16:00) 7교시 (16:00 ~ 17:00) 8교시 (17:00 ~ 18:00) | 교육 과정 설명, 팀 구성, Semiconductor Industry Prcoess Flow 소개, Wafer Halding 실습 1.0 Active Patterning (Photo) Lunch Break 1.0 Active Pattrning (Etch) PR Strip/Informal Cleaning/Gate Oxidation Poly-Si Deposition @LPCVD Oxide Etching Monitoring 방법 실습 과제 발표 및 제 1일차 정리 |
| 2 | 1교시 (9:00 ~ 10:00) 2교시 (10:00 ~ 11:00) 3교시 (11:00 ~ 12:00) 12:00~13:00 4교시 (13:00 ~ 14:00) 5교시 (14:00 ~ 15:00) 6교시 (15:00 ~ 16:00) 7교시 (16:00 ~ 17:00) 8교시 (17:00 ~ 18:00) | 제 2일차 일정 소개 4.0 Gate Patterning (Photo) 4.0 Gate Patterning (Etch) & PR Strip Lunch Break N+ S/D Doping @Furnace Monitring Doping Process ILD Oxide Deposition @PECVD Monitoring Oxide Deposition Process 과제 발표 및 제 2일차 정리 |
| 3 | 1교시 (9:00 ~ 10:00) 2교시 (10:00 ~ 11:00) 3교시 (11:00 ~ 12:00) 12:00~13:00 4교시 (13:00 ~ 14:00) 5교시 (14:00 ~ 15:00) 6교시 (15:00 ~ 16:00) 7교시 (16:00 ~ 17:00) 8교시 (17:00 ~ 18:00) | 제 3일차 일정 소개 7.0 Contact-Hole Patterning (Photo) 7.0 Contact-Hole Patterning (Etch) & PR Strip Lunch Break Al Evaporation & 8.0 Metal Patterning (Photo) 8.0 Metal Patterning (Etch) Alloy/Fab-Out & Probe Station 사용법 설명 MOSFET 동작 원리 및 I-V 측정 방법 설명 MOSFET I-V 특성 측정 |
| 4 | 1교시 (9:00 ~ 10:00) 2교시 (10:00 ~ 11:00) 3교시 (11:00 ~ 12:00) 12:00~13:00 4교시 (13:00 ~ 14:00) 5교시 (14:00 ~ 15:00) 6교시 (15:00 ~ 16:00) 7교시 (16:00 ~ 17:00) 8교시 (17:00 ~ 18:00) | MOSFET I-V 특성 측정 및 Parameters 추출 Die Sawing 및 와이어 본딩 공정 설명 Lunch Break Die Sawing 및 와이어 본딩 실습 MOSFET I-V 특성 측정 및 Parameters 추출 Data Review 및 과정 정리 |
지원규모
4기 12명 내외 모집
신청자격
- 수료기준: 전체 교육 과정의 80% 이상 참여시 수료증 발급
- 본 교육은 반도체 관련 이론 및 실습을 포함하여 직무능력 향상을 중점
으로 운영되는 교육임
- 4기(4일) 교육은 소자 제작 실습이 포함되어 있으므로 별도의 자부담
비용(25만원)이 발생함. 4기 교육 신청자의 경우 자부담에 대해 동의
및 선납하는 경우에만 해당 과정에 참여할 수 있음
- 본 교육은 교육생이 직접 희망 커리큘럼을 선택 및 신청하여 운영함
- 본 교육은 실습 포함 4일 과정으로 업무 및 개인 일정을 충분히 고려한
후 신청 바라며, 사전 연락 없이 무단 불참 시 추후 교육 신청 제한 등
불이익이 발생할 수 있음
- 신청서 정보를 허위로 기재하는 경우 민.형사상 손해배상 책임 및 처벌을
받을 수 있음
- 신청자 현황에 따라 기수별 접수 및 교육 일정, 커리큘럼이 변경될 수 있음
- 교육생 선정 여부는 신청서 검토 후 개별 안내 예정(이메일, 문자 등)
- 2026년 교육 수료생은 타 기수 교육을 중복수강할 수 없음
- 동 공고문에서 정하지 아니한 내용은 용인시산업진흥원 안내사항을 따름
※ 용인시 반도체 기업 면접확인서, 용인시 일자리센터 구직 확인 서류 등 제출 必
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공고문「2026년-반도체-산업-전문인력-양성-교육」-교육생-모집-연장4기.pdf
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